인텔, 3D NAND 기술을 채용한 DC P3520/3320 SSD 발표

인텔이 발표한 Xeon E5 v4와 인텔 SSD DC 각 제품     

인텔은 3월 31일(현지 시간) 데이터 센터/서버용 제품을 발표했다. 프로세서는 별도 기사에 Xeon E5 v4(개발 코드 네임:Broadwell-EP)가 발표되고 동시에 서버용 SSD 제품이 발표되고 있다.

 

업계 최고 밀도의 3D NAND 플래시 메모리를 채용한 P3520/3320

 

이번에 인텔이 발표한 것은 데이터 센터/서버용 SSD 브랜드의 Intel SSD DC 시리즈 브랜드의 Intel SSD DC P3520/3320. 이미 투입되고 있는 Intel SSD DC P3700/3600/3500의 하위 제품이다.

     

이번에 발표된 Intel SSD DC P3520/3320의 위치는 Intel SSD DC P3700/3600/3500의 하위 모델 (출처:Intel Corporation, Cloud coverage Intel PCIe*SSDs for all Cloud storage needs, 2016년)

최대 특징은 인텔이 마이크론 테크놀로지와 공동으로 개발해 온 3D NAND 플래시 메모리를 이용해 만든다는 것이다. 종래의 2D NAND 플래시 메모리는 1개의 층밖에 없는 형태지만 3D NAND는 세로 방향으로 복수의 층을 적층해 만들어지기 때문에 2D NAND 대비 높은 밀도를 실현하게 된다.

 

이 3D NAND 플래시 메모리는 삼성전자, 도시바/샌디스크 연합 등 다른 캠프보다 고밀도인 것이 특징이며 이번에 인텔은 "업계 최고 밀도"로서 그 점을 홍보하고 있다.

 

 

 

폼 팩터는 2.5인치 HDD와 동형의 박스형과 HHHL(x4)로 불리는 PCI Express 확장 카드와 같은 형상의 2가지가 준비되어 있다. 인터페이스의 프로토콜은 모두 NVM Express. 용량은 HHHL이 2TB와 1.2TB, 2.5인치는 이와 함께 450GB가 준비되어 있다.

 

피크 성능은 4KB 랜덤 읽기가 365K IOPS, 4KB 랜덤 쓰기가 22K IOPS. 인텔에 따르면 NVMe를 채용하고 있는 SATA의 병목점을 회피하고 NAND 플래시 메모리가 가진 최대 성능을 발휘할 수 있다는 것으로 SATA 접속 Intel SSD DC S3510과 비교하여 4KB 랜덤 읽기에서 약 5배, 레이턴시는 1/4이 되고 있다.

 

 

 

가격 등은 현 시점에서는 미공표지만 P3320은 2분기에 P3520은 여름에 투입될 예정이라고 설명한다.

인텔 SSD DC D3700/3600은 NVM Express 인터페이스를 채용한 PCI Express SSD. 폼 팩터는 2.5인치지만 D3700이 1.6TB와 800GB, D3600이 1TB와 2TB로 라인업된다.

 

최대 특징은 인텔의 PCI Express SSD로는 처음으로 데이터 포트가 듀얼이 되고 있는 것이다. 현재 서버 등으로 스토리지의 용장성을 실현하는 경우에는 SAS(Serial Attached Scsi) 듀얼 포트 기능을 이용하는 것이 적지 않다. 그러나 SAS는 최신 SAS-3에서도 최대 전송 속도는 12Gbps일 뿐 고속 SSD의 경우에는 병목이 되는 경우가 많다.

 

여기서 인텔은 SSD DC D3700/3600에 NVM Express의 인터페이스를 채용하고 듀얼 포트로 구성함으로써 성능과 용장성 양쪽을 실현하고 있다. 인텔에 따르면 4KB 랜덤 읽기에서 SAS SSD의 3.9배 성능을 발휘할 수 있다고 한다.

 

격 등은 현 시점에서는 미공표이지만 이미 샘플 출하를 시작했고 제품은 3개월 이내에 출하가 시작될 예정이다.

 

출처 - http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20160401_751080.html