Toshiba, QLC 기술로 96층 BiCS FLASH 개발

도시바 메모리는 4비트 셀 (쿼드 레벨 셀, QLC) 기술을 적용한 3D 플래시 메모리로 96층 BiCS FLASH 프로토 타입 샘플을 개발했다고 발표했다. 싱글 칩 메모리 용량을 최고 수준으로 끌어 올렸으며 9월초부터 SSD 및 SSD 컨트롤러 제조업체에 샘플을 제공하고, 2019년 양산을 시작할 예정이다.

QLC 기술의 장점은 메모리 셀 당 데이터 비트 수를 3에서 4로 끌어 올려 용량을 크게 확장시키는 것이다. 신제품은 Western Digital Corporation과 공동 개발한 단일 칩으로 업계 최대 용량인 1.33 테라비트를 달성했고, 하나의 패키지에 16칩 스택 아키텍처를 갖춘 탁월한 용량으로 2.66 테라바이트를 실현한다. SNS 및 IoT 확산에 따라 모바일 단말기 등에서 발생하는 방대한 양의 데이터가 지속적으로 증가하고 있어 이를 실시간으로 분석 할 수 있는 대용량 / 고성능 스토리지의 필요성에 대응하는 제품이다. 

새로운 디바이스의 패키지 프로토 타입은 8월 6일~9일까지 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최되는 2018 플래시 메모리 서밋에서 전시 될 예정.