'하이닉스'에 해당되는 글 2건

  1. 2019.11.23 글로벌 반도체 기업 순위, 1위 인텔 및 TSMC의 위대한 성장 by 랩터 인터내셔널
  2. 2015.09.16 SK 하이닉스 3D NAND 플래시 개발, 내년 256Gbit 양산 by 랩터 인터내셔널

글로벌 시장조사 기관 IC인사이츠(www.icinsights.com)가 2019년 반도체 시장 보고서를 발표했습니다.

 

발표 내용에 따르면 2019년 글로벌 반도체 시장 1위는 지난해 2위였던 미국 인텔이 지속적인 CPU 호황에 따라 글로벌 황제로 복귀한 것으로 나타났습니다. 이어 2위는 지난해 1위였던 삼성이 메모리 반도체 시장 악화로 한 단계 내려 앉았으며 지난해 3위였던 SK하이닉스 또한 삼성과 동일한 시장 환경의 이유로 한 단계 내려 앉아 4위를 기록했습니다.

 

반면 인텔을 제외한 전 세계 시스템 반도체 핵심 기업인 애플, 퀄컴, 엔비디아, AMD 등의 위탁 생산(파운드리)을 맡고 있는 대만의 TSMC는 그 역량과 지위가 지속적으로 확대됨에 따라 상위권 중 유일하게 파운드리 사업만으로 3위를 기록하는 위엄을 나타내고 있습니다. TSMC는 매년 파운드리 시장에서 시장의 과반 점유율로 독보적인 1위를 차지하고 있는 기업으로써 첨단 나노미터 기술력으로 반도체 설계 회사들의 지속적인 러브콜을 받고 있는 상황입니다.

 

또한 상위권에는 마이크론, 브로드컴, 퀄컴, TI, 도시바, 엔비디아 등 전통적인 반도체 기업들이 랭크됐고, 인텔과 시스템 반도체 부문에서 경쟁하고 있는 AMD는 순위권에 포함되지 못하며 앞으로 반도체 시장에서 가야할 길이 멀고도 어렵다는 것이 다시 한번 확인되고 있습니다.

 

국가별로는 상위 15위 안에 미국 기업은 6곳, 한국 기업 2곳, 대만 기업 2곳, 유럽 기업 3곳, 일본 기업 1곳으로 나타나고 있습니다.

 

한편, 2019년 글로벌 반도체 시장 성장율에서는 소니가 전년 대비 24%의 성장율을 나타내며 세계 1위를 차지했고, 이어 2위는 전년 대비 1% 성장한 TSMC, 3위는 전년 대비 1% 성장한 미디어텍, 4위는 전년과 동일한 수준을 유지한 인텔, 5위부터는 전년 대비 역성장이 나타나며 ST는 전년 대비 2% 역성장, 한국의 삼성과 SK하이닉스는 각각 -29% / -38%의 내리막을 나타내고 있습니다.

 

삼성과 SK하이닉스가 전개하고 있는 메모리 반도체 사업은 장기적으로 비관적인 전망이 지속되고 있기 때문에 사업 다변화 및 새로운 전략에 대한 목소리가 높아지고 있는 상황입니다.

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Posted by 랩터 인터내셔널

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NAND 플래시 메모리 대형 벤더인 SK 하이닉스는 플래시 메모리에 대한 세계 최대 이벤트 "Flash Memory Summit(FMS)"에서 2015년 8월 12일(현지시간) 기조 강연으로 동사의 대용량 NAND 플래시 메모리의 개발 상황을 밝혔다. 또 FMS 전시회 동사 부스에서도 3D NAND 기술의 개발 성과를 선보였다.

 

NAND 플래시 메모리의 대용량화의 카드는 3D NAND 기술이다. NAND 플래시 메모리의 대형 벤더는 4개(엄밀히는 2개로 2그룹(2개의 연합))로, SK Hynix을 제외한 3개(Samsung Electronics, SanDisk-도시바 연합, Intel-Micron Technology연합)은 올해(2015년) 3월말 현재 3D NAND 기술로 대용량 NAND 플래시 메모리를 양산하고 있거나 양산 계획을 표명했다. 이 탓에 남은 하나인 SK 하이닉스의 동향에 관심이 쏠렸다.

 

기조 강연에서 SK 하이닉스는 3D NAND 기술에 의한 NAND 플래시 메모리 개발의 로드맵과 현황을 공개했다. 개발 로드맵은 최신 세대가 제 3세대품("3D V3")이다. 최대 용량이 256Gbit의 TLC(3bit/ 셀)품이다. 올해(2015년) 제 4분기(10월~12월)에는 개발을 완료하고 샘플 출하를 시작한다. 양산 시작은 내년(2016년)이다. 전시회의 삼성전자 부스에서는 이 3세대품으로 만들어진 실리콘 웨이퍼 실물이 출품됐다.

 

제품화가 시작되는 것은 올해(2015년) 3분기에 개발을 완료하는 2세대품("3D V2")이다. 최대 용량이 128Gbit의 MLC(2bit/ 셀)품이다. 전시회 부스에서는 2세대 실리콘 다이를 넣은 응용 제품을 실물 전시하고 있었다. SATA 인터페이스의 512GB SSD와 eMMC5.1사양의 64GB모듈 등이다.


2세대 3D NAND기술(3D V2)에 의한 128Gbit의 NAND 플래시 메모리(MLC품)은 2015년 3분기에 제품화할 예정이다. 초기는 컨슈머 시장용 제품이다. 3세대 3D NAND기술(3D V3)에 의한 256Gbit NAND 플래시 메모리(TLC)는 2015년 4분기에 제품화할 예정이다. 이것도 당초에는 컨슈머 시장용 제품이다. 그리고 내년(2016년) 2분기에 엔터프라이즈 시장의 256Gbit메모리(TLC)를 출하할 예정이다.

 

메모리 셀의 기억 방식에는 차지 트랩 기술을 채택하고 있다. 차지 트랩 기술은 Samsung과 SanDisk-도시바 연합에서도 채용한 3D NAND 셀 기억 방식이다. SK Hynix는 2010년에 국제 학회 IEDM에서 평면 기술과 같은 기억 방식인 플로팅 게이트 기술의 3D NAND 메모리 셀을 발표했다. 단 이 때 발표한 메모리 셀 구조는 동작과 제조 용이성 등의 논란이 있어 명시되지는 않았다.


SK 하이닉스가 발표한 차지 트랩 기술은 실리콘 질화막(SiN막)을 이용하는 것도 Samsung과 SanDisk-도시바 연합 등과 유사한 기술이다. 독자성은 별로 없지만 업계 표준이 되는 기술이며 원리적인 신뢰성은 높다.

 

메모리 셀 트랜지스터의 적층 수는 기조 강연과 전시 부스에서는 분명히 나타나고 있지 않다. 다만 기조 강연에서 제시된 메모리 셀 현의 단면 사진에서 3세대품은 적어도 50층의 메모리 셀을 적층 하는 것을 알 수 있다(실제로 센 결과). 또 일부 보도에서는 2세대품을 36층 3세대품을 48층으로 기술하고 있다.


기조 강연에서는 3D NAND 기술의 난관인 메모리 셀 스트링의 전압 편차에 관한 데이터를 보였다. 기다란 원통형의 메모리 셀 현의 형성에는 기다란 구멍을 열어 공정이 존재한다. 공의 지름은 최상층(구멍 입구)에서 넓고 최하층(공의 바닥)이 좁아진다. 이 결과 최상층에서 최하층까지 프로그램 전압 시단과 소거 전압 시단이 반대 방향으로 어긋난다. 이 차이를 보정해야 한다.

 

또 기다란 메모리 셀 스트링을 수직으로 형성하기도 어렵다. 제조 파라미터에 의해서 메모리 셀 스트링이 돌아 형성되는 것을 단면 사진으로 보였다.

 

3D NAND 기술은 원리적으로는 좋은 성능을 얻을 것이지만 제조는 매우 어렵다. 그 일단을 엿볼 수 있는 데이터였다.


출처 - http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20150818_716595.html

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Posted by 랩터 인터내셔널